Модуль памяти Samsung M386AAG40AM3-CWE 128GB DDR4 3200MHz 4Rx4 LRDIMM Registred ECC, RTL {25}
Характеристика | Значение |
---|---|
Серия продукции | M386 |
Тип памяти | Load Reduced |
Форм-фактор | DIMM |
Стандарт памяти | DDR4 |
Объем одного модуля, ГБ | 128.0 ГБ |
Количество модулей в комплекте, шт | 1 шт |
Суммарный объем, ГБ | 128.0 ГБ |
Эффективная частота, МГц | 3200.0 МГц |
Пропускная способность, Мб/с | 25600 Мб/с |
Поддержка ECC | Да |
Низкопрофильная | Нет |
Количество чипов на модуле, шт | 36.0 шт |
Количество ранков | 4.0 |
Количество контактов | 288 |
Напряжение питания, В | 1.2 В |
Наличие радиатора | Нет |
Ширина, мм | 133.35 мм |
Вид поставки | RTL |
Ссылка на описание | https://semiconductor.samsung.com/dram/module/lrdimm/m386aag40am3-cwe/ |
Комплект поставки | Модуль памяти |
CAS Latency (CL) | 22 |
Подсветка | Нет |