Модуль памяти Samsung 128GB Samsung DDR4 M386AAG40AM3-CWEZY 3200MHz 4Rx4 LRDIMM Registred ECC, RTL {25}
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Серия продукции | M386 |
| Тип памяти | Load Reduced |
| Форм-фактор | DIMM |
| Стандарт памяти | DDR4 |
| Объем одного модуля, ГБ | 128.0 ГБ |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 шт |
| Суммарный объем, ГБ | 128.0 ГБ |
| Эффективная частота, МГц | 3200.0 МГц |
| Пропускная способность, Мб/с | 25600 Мб/с |
| Поддержка ECC | Да |
| Низкопрофильная | Нет |
| Количество чипов на модуле, шт | 36.0 шт |
| Количество ранков | 4.0 |
| Количество контактов | 288 |
| CAS Latency (CL) | 22 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 46 |
| Напряжение питания, В | 1.2 В |
| Нормальная операционная температура, °C | 85 °C |
| Расширенная операционная температура, °C | 95 °C |
| Ширина, мм | 133.35 мм |
| Высота, мм | 31.25 мм |
| Вид поставки | RTL |
| Ссылка на описание | https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M386AAG40AM3-CWE/ |