Память DDR5 8GB 4800MHz Samsung M425R1GB4BB0-CQK OEM PC5-38400 CL40 SO-DIMM 260-pin 1.1В dual rank OEM
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Тип памяти | Unbuffered |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Стандарт памяти | DDR5 |
| Объем одного модуля, ГБ | 8.0 ГБ |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 шт |
| Суммарный объем, ГБ | 8.0 ГБ |
| Эффективная частота, МГц | 4800.0 МГц |
| Пропускная способность, Мб/с | 38400 Мб/с |
| Поддержка ECC | On-Die ECC |
| Низкопрофильная | Нет |
| Количество чипов на модуле, шт | 4.0 шт |
| Количество ранков | 1.0 |
| Количество контактов | 262 |
| CAS Latency (CL) | 40 |
| Напряжение питания, В | 1.1 В |
| Наличие радиатора | Нет |
| Вид поставки | OEM |
| Ссылка на описание | https://semiconductor.samsung.com/dram/module/sodimm/m425r1gb4bb0-cqk/ |
| Комплект поставки | Модуль памяти |
| Подсветка | Нет |