Оперативная память Samsung DDR5 16GB SO-DIMM 5600MHz (M425R2GA3BB0-CWM) 1 year, OEM
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Тип памяти | Unbuffered |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Стандарт памяти | DDR5 |
| Объем одного модуля, ГБ | 16.0 ГБ |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 шт |
| Суммарный объем, ГБ | 16.0 ГБ |
| Эффективная частота, МГц | 5600.0 МГц |
| Пропускная способность, Мб/с | 44800 Мб/с |
| Поддержка ECC | Нет |
| Низкопрофильная | Нет |
| Количество чипов на модуле, шт | 8.0 шт |
| Количество ранков | 1.0 |
| Количество контактов | 262 |
| CAS Latency (CL) | 40 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 46 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 46 |
| Напряжение питания, В | 1.1 В |
| Наличие радиатора | Нет |
| Подсветка | Нет |
| Ширина, мм | 69.6 мм |
| Высота, мм | 30 мм |
| Вид поставки | OEM |
| Ссылка на описание | https://semiconductor.samsung.com/dram/module/sodimm/m425r2ga3bb0-cwm/ |
| Комплект поставки | Модуль памяти |