Память оперативная/ Samsung DDR4 16GB UNB SODIMM 2666, 1.2V
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Форм-фактор памяти | SO-DIMM |
| Объем одного модуля | 16 Гбайт |
| Тип памяти | DDR4 |
| Общий объем памяти | 16 Гбайт |
| Количество модулей в комплекте | 1 шт. |
| Частота | 2666 МГц |
| Пропускная способность | PC4-21300 |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
| Радиатор | Нет |
| Низкопрофильная | Нет |
| Форм-фактор памяти | SO-DIMM |
| Тип памяти | DDR4 |
| Общий объем памяти | 16 Гбайт |
| Объем одного модуля | 16 Гбайт |
| Количество модулей в комплекте | 1 шт. |