Модуль памяти Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB DDR4 2666 SO DIMM Non-ECC, CL19, 1.2V, 2Rx8, 2048x128, Bulk {75}
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Серия продукции | M471 |
| Тип памяти | Unbuffered |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Стандарт памяти | DDR4 |
| Объем одного модуля, ГБ | 32.0 ГБ |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 шт |
| Суммарный объем, ГБ | 32.0 ГБ |
| Эффективная частота, МГц | 2666.0 МГц |
| Пропускная способность, Мб/с | 21300 Мб/с |
| Поддержка ECC | Нет |
| Низкопрофильная | Нет |
| Количество чипов на модуле, шт | 16.0 шт |
| Количество контактов | 260 |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 40 |
| Напряжение питания, В | 1.2 В |
| Нормальная операционная температура, °C | 85 °C |
| Расширенная операционная температура, °C | 95 °C |
| Ширина, мм | 69.6 мм |
| Высота, мм | 30 мм |
| Вид поставки | RTL |
| Ссылка на описание | https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M471A4G43MB1-CTD/ |