Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990 EVO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 5000/4200MB/s, IOPs 680 000/800 000, TBW 600, DWPD 0.33 (12 мес.)
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
| Позиционирование использования | Desktop |
| Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Номинальный объем, ГБ | 1000.0 ГБ |
| Тип памяти | V-NAND TLC |
| Тип буферной памяти | HMB |
| Контроллер | Samsung |
| Максимальная скорость чтения, МБ/с | 5000.0 МБ/с |
| Максимальная скорость записи, МБ/с | 4200.0 МБ/с |
| Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS | 20.0 kIOPS |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS | 90.0 kIOPS |
| Тип интерфейса | PCI Express |
| Версия PCI-E | PCIe 4.0 x4 w/NVMe |
| Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. | 1500 тыс. час. |
| Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ | 600.0 ТБ |
| Ударостойкость при хранении, G | 1500.0 G |
| Энергопотребление при работе, max, Вт | 4.9 Вт, max |
| Ширина, мм | 2072.0 мм |
| Высота, мм | 4751.0 мм |
| Глубина, мм | 26937.0 мм |
| Тип комплектации | RTL |
| Ссылка на описание | https://www.samsung.com/au/memory-storage/nvme-ssd/990-evo-1tb-mz-v9e1t0bw/ |
| Комплект поставки | Накопитель, инструкция |
| Тип | Внутренний твердотельный накопитель |
| Форм-фактор накопителя | M.2 2280 |
| Тип интерфейса | PCI Express |
| Версия PCI-E | PCIe 4.0 x4 w/NVMe |
| Особенности | Интерфейс PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe2.0 |
| Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ | 600.0 ТБ |