Твердотельные накопители/ Samsung SSD 990 EVO, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 5000/4200MB/s, IOPs 700 000/800 000, TBW 1200, DWPD 0.33 (12 мес.)
Характеристика | Значение |
---|---|
Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
Позиционирование использования | Desktop |
Серия продукции | 990 EVO |
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
Форм-фактор | M.2 2280 |
Номинальный объем, ГБ | 2000.0 ГБ |
Тип памяти | V-NAND TLC |
Тип буферной памяти | HMB |
Максимальная скорость чтения, МБ/с | 5000.0 МБ/с |
Максимальная скорость записи, МБ/с | 4200.0 МБ/с |
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS | 700.0 kIOPS |
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS | 800.0 kIOPS |
Тип интерфейса | PCI Express |
Версия PCI-E | PCIe 4.0 x4 w/NVMe |
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ | 1200.0 ТБ |
Ударостойкость при работе, G | 1500.0 G |
Ударостойкость при хранении, G | 1500.0 G |
Энергопотребление при работе, max, Вт | 5.5 Вт, max |
Ширина, мм | 2072.0 мм |
Глубина, мм | 2073.0 мм |
Тип комплектации | RTL |
Ссылка на описание | https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-evo-nvme-ssd-2tb-mz-v9e2t0b-am/ |
Комплект поставки | Твердотельный накопитель |
Тип | Внутренний твердотельный накопитель |
Форм-фактор накопителя | M.2 2280 |
Тип интерфейса | PCI Express |
Версия PCI-E | PCIe 4.0 x4 w/NVMe |
Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ | 1200.0 ТБ |