Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 2000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 2048MB, TBW 1200, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Тип | Внутренний твердотельный накопитель |
| Позиционирование использования | Desktop |
| Серия продукции | 990 PRO |
| Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
| Форм-фактор накопителя | M.2 2280 |
| Номинальный объем, ГБ | 2000.0 ГБ |
| Тип памяти | V-NAND 3-bit MLC |
| Объем буфера, МБ | 1024.0 МБ |
| Тип буферной памяти | DDR4 |
| Максимальная скорость чтения, МБ/с | 7450.0 МБ/с |
| Максимальная скорость записи, МБ/с | 6900.0 МБ/с |
| Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS | 1400.0 kIOPS |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS | 1550.0 kIOPS |
| Поддержка Background Garbage Collection | Да |
| Тип интерфейса | PCI Express |
| Версия PCI-E | PCIe 4.0 x4 w/NVMe |
| Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с | 7877.0 МБ/с |
| Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. | 1500 тыс. час. |
| Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ | 1200.0 ТБ |
| Ударостойкость при работе, G | 1500.0 G |
| Ударостойкость при хранении, G | 1500.0 G |
| Энергопотребление при работе, max, Вт | 8.5 Вт, max |
| Ширина, мм | 2072.0 мм |
| Высота, мм | 4751.0 мм |
| Глубина, мм | 20949.0 мм |
| Особенности | Поддержка TRIM, S.M.A.R.T. |
| Тип комплектации | RTL |
| Ссылка на описание | https://www.samsung.com/sg/memory-storage/nvme-ssd/990-pro-1tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9p1t0bw/ |
| Комплект поставки | Накопитель, инструкция |
| Тип интерфейса | PCI Express |
| Версия PCI-E | PCIe 4.0 x4 w/NVMe |
| Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с | 7877.0 МБ/с |
| Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ | 1200.0 ТБ |