Вид устройства |
Внутренний твердотельный накопитель
|
Позиционирование использования |
Datacenter
|
Форм-фактор |
2.5"
|
Номинальный объем, ГБ |
15360.0 ГБ
|
Тип памяти |
3D NAND TLC
|
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с |
7680.0 МБ/с
|
Максимальная скорость чтения, МБ/с |
6700.0 МБ/с
|
Максимальная скорость записи, МБ/с |
4000.0 МБ/с
|
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS |
1100.0 kIOPS
|
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS |
200.0 kIOPS
|
Тип интерфейса |
PCI Express
|
Версия PCI-E |
PCIe 3.1 x4 w/NVMe
|
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. |
2000 тыс. час.
|
Ударостойкость при работе, G |
1500.0 G
|
Ударостойкость при хранении, G |
1500.0 G
|
Ширина, мм |
6101.0 мм
|
Высота, мм |
7.0 мм
|
Глубина, мм |
100.0 мм
|
Тип комплектации |
RTL
|
Ссылка на описание |
https://www.samsung.com/semiconductor/ssd/datacenter-ssd/MZQL23T8HCJS-00A07/
|
Тип |
Внутренний твердотельный накопитель
|
Форм-фактор накопителя |
2.5" U2
|
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с |
7680.0 МБ/с
|
Тип интерфейса |
PCI Express
|
Версия PCI-E |
PCIe 3.1 x4 w/NVMe
|
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с |
7680.0 МБ/с
|
Тип интерфейса |
PCI Express
|
Версия PCI-E |
PCIe 4.0 x4
|
Серия продукции |
PM9A3
|
Модель |
MZQL215THBLA-00A07
|
Назначение |
Datacenter
|
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS |
1100.0 kIOPS
|
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS |
200.0 kIOPS
|
Поддержка NVMe |
Да
|
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. |
2000 тыс. час.
|
Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ |
28032.0 ТБ
|
Ударостойкость при работе, G |
1500.0 G
|
Ударостойкость при хранении, G |
1500.0 G
|
Температура эксплуатации |
0...+70C
|
Вес, г |
100.0
|
Комплект поставки |
Накопитель, документация
|