Вид устройства |
Внутренний твердотельный накопитель
|
Позиционирование использования |
Server
|
Серия продукции |
PM9A3
|
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) |
Да
|
Форм-фактор |
2.5" U2
|
Номинальный объем, ГБ |
1920.0 ГБ
|
Тип памяти |
3D NAND TLC
|
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с |
7877.0 МБ/с
|
Максимальная скорость чтения, МБ/с |
6800.0 МБ/с
|
Максимальная скорость записи, МБ/с |
4000.0 МБ/с
|
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS |
1000.0 kIOPS
|
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS |
180.0 kIOPS
|
Тип интерфейса |
PCI Express
|
Версия PCI-E |
PCIe 4.0 x4 w/NVMe
|
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. |
2000 тыс. час.
|
Ударостойкость при работе, G |
1500.0 G
|
Ударостойкость при хранении, G |
1500.0 G
|
Ширина, мм |
1360.0 мм
|
Высота, мм |
7.0 мм
|
Глубина, мм |
70.0 мм
|
Тип комплектации |
OEM
|
Ссылка на описание |
https://www.samsung.com/semiconductor/ssd/datacenter-ssd/MZQL21T9HCJR-00A07/
|
Тип |
Внутренний твердотельный накопитель
|
Форм-фактор накопителя |
2.5" U2
|
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с |
7877.0 МБ/с
|
Тип интерфейса |
PCI Express
|
Версия PCI-E |
PCIe 4.0 x4 w/NVMe
|
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с |
7877.0 МБ/с
|
Тип интерфейса |
PCI Express
|
Версия PCI-E |
PCIe 4.0 x4
|
Модель |
MZQL21T9HCJR-00A07
|
Назначение |
Server
|
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS |
1000.0 kIOPS
|
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS |
180.0 kIOPS
|
Поддержка NVMe |
Да
|
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. |
2000 тыс. час.
|
Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ |
3504.0 ТБ
|
Ударостойкость при работе, G |
1500.0 G
|
Ударостойкость при хранении, G |
1500.0 G
|
Температура эксплуатации |
0...+70C
|
Комплект поставки |
Накопитель, инструкция
|